压电陶瓷超声波传感器的位移估算如何进行

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    点击次数:22 更新时间:2019年11月22日10:24:53 打印此页 关闭

    压电陶瓷超声波传感器的位移估算如何进行

       压电陶瓷超声波传感器的位移估算是利用逆压电效应,即向压电陶瓷施加电压,压电陶瓷将在电场的影响下发生变形位移。

    1、单层陶瓷在共振频率点工作时产生的振幅最大。

       当感测或发电时,估计输出电压,当超声波压电陶瓷芯片用作传感器时,它利用其正压电效应I.e. 它通过施加外力来输出电荷而变形。

    2、位移的粗略估计

       最大耐压下的压电陶瓷超声波传感器的位移通常为位移方向长度的约1‰,例如,1 mm厚的陶瓷片,最大耐压为1000 v,最大耐压为1000 v,厚度方向的最大位移约为1 μm。

    3、压电陶瓷超声波传感器的位移估算;

       其中: u :外加电压[ v ],h :陶瓷高度[ m ],e :电场强度[ v / m ],d :压电系数[ m / v ],w :陶瓷宽度[ m ]。

       从以上公式可以看出,片状压电陶瓷超声波传感器的位移仅与材料和提供的电压有关,但是对于相同的材料,只要施加相同的电压,不同高度的陶瓷片产生的位移基本上是相同的(记住:电压不能超过可以承受的最大电压)。根据这个计算公式,其他形状也可以用来估计位移。

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