压电陶瓷晶片的制造工艺流程

1、粉体制备：采用溶胶-凝胶法或固相反应法合成亚微米级PZT粉体，严格控制Zr/Ti比例（52/48附近）以获得更佳压电性。掺杂Nb⁵⁺、La³⁺等可降低介电损耗，提升Qₘ值（机械品质因数）。

2、成型烧结：等静压成型后，在1250℃下致密化烧结。晶粒尺寸控制在3-5μm可兼顾强度与压电活性，密度需达到理论值的97%以上。普立声科（Pulisonic）等企业采用气氛保护烧结，可减少铅挥发造成的成分偏离。

3、极化处理：在2-4kV/mm直流电场下保持30分钟，使随机取向的电畴沿电场方向排列。此过程需加热至120℃以降低矫顽场强，极化效率直接影响d₃₃值。

4、电极加工：真空蒸镀或丝网印刷制备10-20μm银电极，高频应用时需光刻制作叉指电极以降低寄生电容。边缘倒角处理可避免电场集中导致的击穿。